專利名稱： 紅外倍頻硫系玻璃陶瓷及其制備方法
公開（告）號： CN1837115
申請（專利）號： 200610018763.4
發(fā)明（設(shè)計）人： 陶海征;顧少軒;趙修建;肖海燕;董國平;
(申請)專利權(quán)（人）： 武漢理工大學(xué)
內(nèi)容：（摘要）本發(fā)明屬于非線性光學(xué)玻璃材料及制備方法。紅外倍頻硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成，各原料所占摩爾％為：GeS250～90％，Ga2S35～25％， CdS 5～25％，各原料含量之總和為100摩爾％。其制備方法是：首先制備出硫系玻璃，而后在略高于玻璃轉(zhuǎn)變溫度和遠低于玻璃晶化溫度的范圍內(nèi)進行熱處理，有效控制玻璃的核化和晶化過程，析出大量亞微米量級尺寸均勻的紅外倍頻晶體，從而制備出具有透紅外和倍頻功能的硫系玻璃陶瓷。該紅外倍頻硫系玻璃陶瓷具有寬的透過窗口(0.45～12μm)。本發(fā)明的方法具有工藝簡單、生產(chǎn)周期短和易于制備出大尺寸樣品等優(yōu)點。
主權(quán)項：紅外倍頻硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制備而成，各原料所占摩爾％為：GeS250~90％，Ga2S35~25％，CdS5~25％，各原料含量之總和為100摩爾％。
